闪存器件工程师(J14449)

1）仿真方向： *存储器相关新结构和新工艺的仿真流程搭建和仿真分析。 *存储器相关操作方式的优化和仿真分析。 *存储器相关仿真模型与仿真方法的研发。 2）算法方向： *操作算法研究： 开发并实现提升NAND寿命和数据保留能力的算法，如通过操作算法优化降低写入干扰、读干扰，改善cycle 退化等。 *特性分析与问题定位： 通过测试数据分析和芯片特性验证，定位NAND器件及算法的性能瓶颈与可靠性问题，并提出有效的解决方案 *跨部门协作： 与器件工艺、芯片设计、固件及测试团队密切合作，确保算法在芯片上的成功实现与量产。 3）平台及测试方向： *负责3D NAND 测试程序开发、调试优化； *负责3D NAND存储器件及阵列操作的性能及可靠性问题，实现3D NAND存储器器件级、阵列级的性能及可靠性优化。 【任职要求】 *学历：硕士及以上 *专业：微电子，电子科学与技术，材料科学与技术等相关专业…… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。

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