光芯片设计专家（铌酸锂方向）(J10445)

岗位描述： 1、开发基于薄膜铌酸锂的光子集成芯片，与国内外foundry沟通完成工艺路线制定； 2、有过薄膜铌酸锂高速电光调制器设计经验两年以上，熟练使用软件进行波导和电极结构的优化； 3、有过薄膜铌酸锂无源器件的设计经验者优先； 4、有过Si/SiN + TFLN异质集成经验者优先； 5、负责测试数据分析和设计迭代 【任职要求】 1、硕士及以上学历，5年以上相关经验，特别优秀者可以适当放松工作年限要求； 2、具有扎实的半导体物理，半导体器件物理，半导体工艺理论基础； 3、具有5轮以上的硅光芯片流片经验或具有3轮铌酸锂流片经验； 4、有冲劲，有责任心，有良好的沟通能力和团队写作能力， 5、有良好的英文听说读写能力

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