高k介质/金属栅极工艺研发专家-High-k/Metal Gate Process Expert(J20400)

1.高k介质/金属栅极工艺开发： 主导高k介质沉积与金属栅极堆叠工艺的研发，设计并优化薄膜工艺参数，达成目标电性能及界面质量； 2.材料评估与工艺窗口优化： 评估新型高k材料和金属栅极材料，使用DOE等方法优化工艺窗口，提升器件的驱动能力与可靠性； 3.工艺问题分析与闭环： 分析薄膜沉积过程中出现的厚度均匀性、界面缺陷或电阻率异常等问题，主导根因排查并闭环解决； 4.跨部门协同与工艺集成： 与器件、工艺整合及可靠性团队紧密协作，确保高k介质/金属栅极工艺与前后段工艺兼容，并满足电性和良率要求； 5.技术转移与量产导入： 主导高k介质/金属栅极工艺从研发向量产的平稳转移，制定工艺标准文件，减少新产品量产周期。 【任职要求】 1.教育背景与专业知识：硕士及以上学历，微电子、物理、材料或化学等相关专业，具备扎实的薄膜沉积与栅极工程理论功底； 2.专业技能与资格：能使用ALD、PVD、CVD等薄…… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。

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