岗位描述(节选)
• 研发新型化合物半导体材料以及 Epi 结构以实现和改进相关器件的性能和可靠性
• 参与并制定材料生长的 flow & recipe
• 对 epi wafer 进行测试和 characterization (包括 XRD, PL, AFM 等等)
• 与器件及工艺工程师合作,解决与材料相关的问题,并制定有关 epi 的质量和可靠性的管
控措施
• 在跟踪国际上前沿的化合物半导体生长技术发展的同时,建立自主的 proprietary epi
technology
【任职要求】
• 微电子,物理, 材料等专业,博士学历
• 具备深厚的化合物半导体知识
• 有一定的 MOCVD or MBE 生长经验
• 有一定的 材料特性测试的实际经验
• 有主动性,团队精神,以及良好的表达能力
本站当前在招 137 个无锡技术研发岗位,其中 70 个公开标注了薪资。按这些标注统计:月薪(税前)主流区间 5K ~ 20K(25~75 分位),中位约 12K,最低 4K、最高 50K。
在招岗位较多的企业:卓胜微 41 个信捷电气 36 个蜂巢能源 23 个中汽新能(无锡)技术中心有限公司 5 个神州信息 4 个
统计口径:求职者营地实时在招岗位的公开薪资标注,未标注者不计入;区间为 25~75 分位,非薪酬承诺。