长晶研发工程师

1.负责光学/高纯半绝缘长晶研发项目实验设计开发：新结构热场设计，晶体结果及异常分析，提升晶体长速方案设计； 2.负责光学/高纯半绝缘长晶研发项目数据分析，保障研发项目顺利进行； 3.负责长晶专案计划、文件制定、原物料评估； 4.负责专利撰写与期刊文献发表。 【任职要求】 1.硕士及以上学历，理工科专业； 2.有PVT法生长碳化硅经验，有碳化硅半绝缘长晶经验，熟悉长晶工艺及品质要求，熟悉电阻炉长晶； 3.具有良好的沟通协调能力和抗压能力。

本站当前在招 84 个长沙技术研发岗位，其中 47 个公开标注了薪资。按这些标注统计：月薪（税前）主流区间 18K ~ 20K（25~75 分位），中位约 18K，最低 6K、最高 50K。