新型半导体材料研发工程师

【工作职责】 1、负责新型半导体材料（如碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化镓Ga2O3或金刚石半导体等）的外延生长或晶体生长工艺开发。 2、负责半导体器件（如肖特基二极管SBD、MOSFET、HEMT等）的制造工艺流程开发，包括光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积等。 3、监控并分析工艺数据，解决生产与研发过程中的良率异常，持续优化工艺参数以提升器件性能与可靠性。 4、负责新型半导体材料与器件的电学特性测试与分析（如I-V特性、C-V特性、击穿电压等）； 5、跟踪国内外新型半导体领域的前沿技术动态，参与新项目立项、技术路线图规划及专利撰写。 【任职要求】 1、微电子学、半导体物理、材料科学、电子信息等相关专业，硕士及以上学历。 2、熟悉半导体制造全流程，具备MOCVD、MBE外延设备或光刻机、刻蚀机等半导体工艺设备的实操经验。 3、熟练使用TCAD等半导体器件仿真软件及Origin、LabVIE…… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。

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