GaN器件研发工程师（博士）

1. 新型氮化镓功率器件设计，器件结构仿真与应用： a.持续提升产品比导通电阻，降低成本的同时确保器件可靠性与稳定性； b.特殊器件结构设计，Silvaco/Sentaurus器件仿真，结合实际工艺情况，优化版图设计； c.客户需求设计资料维护（设计规范及参考设计）。 2. 氮化镓功率器件电学特性测试，可靠性与寿命评估。 a. GaN功率器件电性（含Datasheet量测）和测试报告、技术说贴的整理； b. 产线器件电性异常处理分析； c. 可靠性测试数据收集整理 （包含器件寿命测试与评估）。 3. 全氮化镓集成电路设计与仿真，驱动、保护模块验证： a. GaN全集成功率平台搭建，驱动、保护模块电路设计； b. SPICE 模型建立；基础电路模型仿真； c. 流片完成后，IC电路实际应用演示。 4.竞品逆向分析, 项目/知识产权： …… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。

本站当前在招 84 个长沙技术研发岗位，其中 47 个公开标注了薪资。按这些标注统计：月薪（税前）主流区间 18K ~ 20K（25~75 分位），中位约 18K，最低 6K、最高 50K。